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元件参数资料
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参数目录44299
> VDZT2R4.7B DIODE ZENER 4.7V 100MW VMD2
型号:
VDZT2R4.7B
RoHS:
无铅 / 符合
制造商:
Rohm Semiconductor
描述:
DIODE ZENER 4.7V 100MW VMD2
详细参数
数值
产品分类
分离式半导体产品 >> 单二极管/齐纳
VDZT2R4.7B PDF
标准包装
1
系列
-
电压 - 齐纳(标称)(Vz)
4.7V
电压 - 在 If 时为正向 (Vf)(最大)
-
电流 - 在 Vr 时反向漏电
2µA @ 1V
容差
±2%
功率 - 最大
100mW
阻抗(最大)(Zzt)
100 欧姆
安装类型
表面贴装
封装/外壳
2-SMD,扁平引线
供应商设备封装
VMD2
包装
剪切带 (CT)
工作温度
-55°C ~ 150°C
其它名称
VDZT2R4.7BCT
查看VDZT2R4.7B代理商
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